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NRVBAF3200T3G	文件：129.539 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBAF3200T3G	文件：196.09 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NRVBAF3200T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-221AC，SMA 扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMA-FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS3200T3G	文件：185.06 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS3200T3G	文件：102.5 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBS3200T3G	文件：96.88 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TISP3200T3	文件：363.47 Kbytes Page：11 Pages	OvervoltageProtectorSeries	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

产品属性

产品编号：
NRVBAF3200T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-221AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装：
SMA-FL
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMA-FL

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更多NRVBAF3200T3G供应商更新时间2025-7-23 14:21:00

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