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NRVBB1060	文件：177.82 Kbytes Page：7 Pages	Switch-mode Power Rectifier This switch−mode power rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state−of−the−art device has the following features: Features  Low Forward Voltage  175C Operating Junction Temperature  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  For Au 文件：177.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060	文件：55.25 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 文件：55.25 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060	文件：69.68 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifier 文件：69.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V，10 A，肖特基整流器 This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. • Low Forward Voltage\n• 175°C Operating Junction Temperature\n• Low Power Loss/High Efficiency\n• High Surge Capacity\n• This is a Pb-Free Device;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060_V01	文件：177.82 Kbytes Page：7 Pages	Switch-mode Power Rectifier This switch−mode power rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state−of−the−art device has the following features: Features  Low Forward Voltage  175C Operating Junction Temperature  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  For Au 文件：177.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060T4G	文件：177.82 Kbytes Page：7 Pages	Switch-mode Power Rectifier This switch−mode power rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state−of−the−art device has the following features: Features  Low Forward Voltage  175C Operating Junction Temperature  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  For Au 文件：177.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060W1	文件：177.82 Kbytes Page：7 Pages	Switch-mode Power Rectifier This switch−mode power rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state−of−the−art device has the following features: Features  Low Forward Voltage  175C Operating Junction Temperature  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  For Au 文件：177.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060W1T4G	文件：177.82 Kbytes Page：7 Pages	Switch-mode Power Rectifier This switch−mode power rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state−of−the−art device has the following features: Features  Low Forward Voltage  175C Operating Junction Temperature  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  For Au 文件：177.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060_16	文件：69.68 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifier 文件：69.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBB1060T4G	文件：69.68 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifier 文件：69.68 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
60
VF Max (V)：
0.8
IRM Max (µA)：
100
IO(rec) Max (A)：
10
IFSM Max (A)：
150
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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