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NRVBA160T3G	文件：177.38 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：177.38 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G	文件：263.72 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：263.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G	文件：96.61 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：96.61 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G-VF01	文件：263.72 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：263.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G-VF01	文件：177.38 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：177.38 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA160T3G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SBN REC SMA 1A 60V SHTKY	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NRVBA160T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
SMA
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA

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更多NRVBA160T3G供应商更新时间2025-10-4 15:38:00

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