MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP75P04YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −37.5 A) ⎯ RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = −5 V, ID = −37.5 A) • Logic level drive type • Gat

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