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NP80N03EDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03EDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03EDE	文件：345.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N03EDE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
NP80N03EDE-E1-AY	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03EDE-E1-AY	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03EDE-E2-AY	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03EDE-E2-AY	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

ID (A)：
80
Nch/Pch：
Nch
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
7
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
30
Series Name：
NP Series

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市近平电子有限公司	NP80N03EDE	NEC	6000	面议	19	TO263	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NP80N03EDE	NEC	23+	TO-263-3	33000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市一线半导体有限公司	NP80N03KDE	NEC	24+	TO-263	8866		询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP80N03KDE	VB	21+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP80N03KDE	NEC	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NP80N03KDE	NEC	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NP80N03KDE	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NP80N03KDE	NEC	22+	TO-263	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	NP80N03KDE	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	12500	瑞萨全系列在售,终端可出样品	询价
深圳市芯皇电子有限公司	NP80N03KDE	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	9000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价

更多NP80N03EDE供应商更新时间2025-7-31 9:30:00

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