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NP35N04YUG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive appli

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RENESAS

瑞萨

nP3750PBC-400

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NP40N10PDF-E1-AY

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