NP36P06KDG规格书原装现货瑞萨NEC-114ic电子网

首页 >NP36P06KDG>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NP36P06KDG	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance 文件：187.39 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP36P06KDG	文件：1.35098 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 29.5 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -18 A ) RDS(on) = 37.5 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -18 A )  Low input capacitance : Ciss 文件：1.35098 Mbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP36P06KDG	文件：345.6 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP36P06KDG-E1-AY	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance 文件：187.39 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP36P06KDG-E2-AY	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance 文件：187.39 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP36P06KDG_15	文件：297.38 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：297.38 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP36P06KDG-E1-AYNote	文件：297.38 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：297.38 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP36P06KDG-E2-AYNote	文件：297.38 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：297.38 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP36P06KDG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs for Automotive The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)\n• Low input capacitance Ciss = 3100 pF TYP.;	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Channels (#)：
1
Pkg. Type：
MP-25ZK
Standard Pkg. Type：
TO-263 / D2PAK
VDSS (Max) (V)：
-60
ID (A)：
-36
RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)：
29.5
RDS (ON) (Max) @ 4V or 4.5V or 5V (m ohm)：
37.5
Pch (W)：
56
VGSS：
20
Vgs (off) (Max) (V)：
-2.5
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)：
23.1
Ciss (Typical) (pF)：
3100
QG (nC) typ (nC)：
54
Mounting Type：
Surface Mount
Series Name：
NP Series

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP36P06KDG	NEC	24+	TO-252	8866		询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NP36P06KDG	Renesas	18+	TO-263	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	25+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-263	800	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	20+	TO-263	300000	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市芯皇电子有限公司	NP36P06KDG	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	9000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP36P06KDG	NEC	25+	TO-263	35400	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

更多NP36P06KDG供应商更新时间2026-1-27 10:02:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号