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|---|---|---|---|---|
NP36P06KDG-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance 文件：187.39 Kbytes 页数：7 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：297.38 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
BGA | AMCC | |||
BGA | AMCC | |||
TO-252 | 南麟 上传：深圳市勇康微科技有限公司 | 南麟 |
详细参数
- 型号：
NP36P06KDG-E1-AY
- 功能描述：
MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
Renesas |
25+23+ |
TO-263 |
27892 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-263 |
30000 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
367 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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RENESAS/瑞萨 |
13+P |
TO-263 |
361 |
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Renesas |
23+24 |
TO-263 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
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24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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