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NP36P06KDG-E1-AYNote	文件：297.38 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06KDG-E1-AY	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP36P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=29.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=37.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP36P06KDG-E1-AY

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=29.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=37.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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更多NP36P06KDG-E1-AYNOTE供应商更新时间2025-5-24 14:50:00

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