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NP36P06SLG	文件：177.35 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP36P06SLG	文件：1.53755 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30mMax.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40mMax.(VGS=-4.5V,ID=-18A) Lowinputcapacitance:Ciss=32	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06SLG	文件：299.44 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP36P06SLG-E1-AY	文件：286.43 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance Ci	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06SLG-E1-AY	文件：1.53755 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30mMax.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40mMax.(VGS=-4.5V,ID=-18A) Lowinputcapacitance:Ciss=32	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06SLG_15	文件：286.43 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06KDG	文件：345.6 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP36P06KDG	文件：1.35098 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-36A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=29.5mMax.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=37.5mMax.(VGS=-4.5V,ID=-18A) Lowinputcapacitance:Ciss	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P06KDG	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP36P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=29.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=37.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
NP36P06SLG
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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