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NP40N055DHE	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) • Low input capacitance Ciss = 1070 pF T 文件：212.75 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP40N055DHE	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) • Low input capacitance Ciss = 1070 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：298.7 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N055DHE	文件：280.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：280.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP40N055DHE-S12-AY	文件：212.75 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) • Low input capacitance Ciss = 1070 pF T 文件：212.75 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP40N055DHE-S12-AY	文件：298.7 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) • Low input capacitance Ciss = 1070 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：298.7 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N055DHE-S12-AYNote1,2	文件：299.28 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.28 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N055DHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

ID (A)：
40
Downloadable：
SPICE
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
23
Nch/Pch：
N
Application：
Automotive Use
Automotive：
YES
Series Name：
NP Series
VDSS (V) max.：
55

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP40N055DHE	NEC	24+	TO-262	8866		询价
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更多NP40N055DHE供应商更新时间2025-10-5 15:30:00

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