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NP36P06KDG-E2-AY	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP36P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=29.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=37.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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LOGO

NP36P06KDG-E2-AY

文件：187.39 Kbytes

Page：7 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=29.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=37.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

NP36P06KDG-E2-AYNote

文件：297.38 Kbytes

Page：9 Pages

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP36P06KDG-E2-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP36P06KDG-E2-AY供应商更新时间2024-5-21 10:50:00

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