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NP36P06SLG-E1-AY	文件：286.43 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The NP36P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 30 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance Ci 文件：286.43 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP36P06SLG-E1-AY	文件：1.53755 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 30 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -18 A ) RDS(on) = 40 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -18 A )  Low input capacitance : Ciss = 32 文件：1.53755 Mbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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