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描述 Description
This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性 Features
Super low on-state resistance : RDS(on) = 30 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -18 A )
RDS(on) = 40 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -18 A )
Low input capacitance : Ciss = 3200 pF Typ.
Built-in gate protection diode
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.
Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
产品属性
- 型号:
NP36P06SLG-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET P-CH -60V -36A TO-252
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
9548 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SOT-252 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
TO-252 |
503102 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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Renesas(瑞萨) |
24+ |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO252 |
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Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO252 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SOT-252 |
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