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NP36P06KDG数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

NP36P06KDG

功能描述

Power MOSFETs for Automotive

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NP36P06KDG规格书详情

描述 Description

The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

• Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)
• Low input capacitance Ciss = 3100 pF TYP.

技术参数

  • 制造商编号

    :NP36P06KDG

  • 生产厂家

    :Renesas

  • Channels (#)

    :1

  • Pkg. Type

    :MP-25ZK

  • Standard Pkg. Type

    :TO-263 / D2PAK

  • VDSS (Max) (V)

    :-60

  • ID (A)

    :-36

  • RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)

    :29.5

  • RDS (ON) (Max) @ 4V or 4.5V or 5V (m ohm)

    :37.5

  • Pch (W)

    :56

  • VGSS

    :20

  • Vgs (off) (Max) (V)

    :-2.5

  • RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)

    :23.1

  • Ciss (Typical) (pF)

    :3100

  • QG (nC) typ (nC)

    :54

  • Mounting Type

    :Surface Mount

  • Series Name

    :NP Series

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