MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) ⎯ RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) ⎯ RDS(on

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RENESAS

瑞萨

100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive

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TO263

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南麟
SOP-8

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NATLINEAR/南麟
SOP8

NATLINEAR/南麟

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