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NP40N10PDF-E1-AY	文件：259.839 Kbytes Page：11 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) ⎯ RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) ⎯ RDS(on 文件：259.839 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N10PDF-E1-AY	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive 文件：162.8 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N10PDF-E1-AY	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	RENESAS 瑞萨上传：深圳市宝隆芯业科技有限公司	RENESAS 瑞萨
NP4805SR-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP4836SR-N-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟

详细参数

型号：
NP40N10PDF-E1-AY
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
SINGLE MOSFET, NCH, 100V, TO263 - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 40A TO-263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝隆芯业科技有限公司	NP40N10PDF-E1-AY	RENESAS 瑞萨	两年内	TO263	61100	NMOS场效应管	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NP40N10PDF-E1-AY	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	11048	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	NP40N10PDF-E1-AY	RENESAS/瑞萨	2022+	SOT263	1100	原厂代理终端免费提供样品	询价
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更多NP40N10PDF-E1-AY供应商更新时间2026-1-26 15:30:00

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