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NP40N10VDF-E1-AY	文件：259.839 Kbytes Page：11 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ⎯RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ⎯RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP40N10VDF-E1-AY

文件：259.839 Kbytes

Page：11 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ⎯RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ⎯RDS(on

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP40N10VDF-E1-AY

文件：162.8 Kbytes

Page：11 Pages

100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP40N10VDF-E1-AY

文件：100 bytes

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
NP40N10VDF-E1-AY
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
40A（Tc）
描述：
TRANSISTOR

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