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NP48N055KLE	文件：220.89 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 2 文件：220.89 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP48N055KLE	文件：307.45 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 24 A) RDS(on)3 = 24 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1970 文件：307.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055KLE	文件：345.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP48N055KLE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055KLE-E1-AY	文件：307.45 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 24 A) RDS(on)3 = 24 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1970 文件：307.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055KLE-E1-AY	文件：220.89 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 2 文件：220.89 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP48N055KLE-E2-AY	文件：307.45 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 24 A) RDS(on)3 = 24 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1970 文件：307.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055KLE-E2-AY	文件：220.89 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 2 文件：220.89 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP48N055KLE-E1-AYNote1	文件：308.03 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：308.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055KLE-E2-AYNote1	文件：308.03 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：308.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
MP-25ZK/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
55
ID (A)：
48
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
24
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
17
Ciss (pF) 典型值：
1970
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
85
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP48N055KLE供应商更新时间2026-1-30 15:30:00

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