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NP55N04SLG-E1-AY	文件：255.65 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ⎯RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP55N04SLG-E1-AY

文件：255.65 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ⎯RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP55N04SLG-E1-AY
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP55N04SLG-E1-AY供应商更新时间2025-5-6 15:08:00

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