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NP50P06KDG-E1-AY

-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 17 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A ) RDS(on) = 23 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )  Low input capacitance : Ciss = 50

文件:1.33025 Mbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NP50P06KDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance

文件:184.9 Kbytes 页数:7 Pages

NEC

瑞萨

NP50P06KDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

文件:294.89 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

NP9926ASR

SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

详细参数

  • 型号:

    NP50P06KDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NP50P06KDG-E1-AY供应商 更新时间2026-2-9 18:03:00