首页>NP50P06KDG-E1-AY>规格书详情
NP50P06KDG-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
NP50P06KDG-E1-AY规格书详情
DESCRIPTION
The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
•Super low on-state resistance
RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A)
RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A)
•Low input capacitance
Ciss = 5000 pF TYP.
产品属性
- 型号：
NP50P06KDG-E1-AY
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
17+ |
TO263 |
682 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
DFN |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2023+ |
TO263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO263 |
3121 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO263 |
3121 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
