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NP50P06KDG-E1-AY中文资料PDF规格书
NP50P06KDG-E1-AY规格书详情
DESCRIPTION
The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
•Super low on-state resistance
RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A)
RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A)
•Low input capacitance
Ciss = 5000 pF TYP.
产品属性
- 型号：
NP50P06KDG-E1-AY
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
TO-263 |
360000 |
进口原装房间现货实库实数 |
询价 | ||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
DFN |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
RENESAS |
22+ |
DFN |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
询价 | ||
RENESAS |
17+ |
TO263 |
682 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
TO-263 |
8000 |
全新、原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2023+ |
TO263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
DFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
1743+PB |
TO-263 |
304 |
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询价 |
