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NP50P04SLG-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NP50P04SLG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

241.04 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 15:30:00

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NP50P04SLG-E2-AY规格书详情

描述 Description

The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

• Super low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)

⎯ RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)

• Low input capacitance

• Gate to Source ESD protection diode built-in

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
TO-252
8866
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NEC
18+
TO-252
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
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NEC
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
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Renesas(瑞萨)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
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RENESAS/瑞萨
24+
TO-252
60000
全新原装现货
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