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NP50P04SLG-E2-AY	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP50P04SLG-E2-AY

文件：241.04 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance

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更多NP50P04SLG-E2-AY供应商更新时间2025-5-11 10:12:00

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