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NP50P04SLG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) ⎯ RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance

文件:241.04 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

NP9926ASR

SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPA-500B-005G

14-SMD 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPB02SVAN-RC

BULK

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更多NP50P04SLG-E2-AY供应商 更新时间2025-11-26 9:06:00