首页>NP50P03YDG-E1-AY>规格书详情

NP50P03YDG-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP50P03YDG-E1-AY
厂商型号

NP50P03YDG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

238.04 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-29 23:00:00

人工找货

NP50P03YDG-E1-AY价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NP50P03YDG-E1-AY规格书详情

Description

The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)

• Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V)

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

• Small size package 8-pin HSON

产品属性

  • 型号:

    NP50P03YDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
21
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
TO263
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
Renesas
24+
QFN
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
rene
19+
TO-252
87440
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
询价
NEC
24+
TO-252
8866
询价
RENESAS/瑞萨
2447
QFN
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
Renesas Electronics America
2022+
8-SMD,扁平引线裸焊盘
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
RENESAS/瑞萨
22+
8-HSON
25000
只有原装原装,支持BOM配单
询价
Renesas
24+
QFN
16900
原装正品现货支持实单
询价
RENESAS/瑞萨
22+
8-HSON
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
询价