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NP50P03YDG-E1-AY	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) •LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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NP50P03YDG-E1-AY

文件：238.04 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) •LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
NP50P03YDG-E1-AY
功能描述：
MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多NP50P03YDG-E1-AY供应商更新时间2024-4-27 8:40:00

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