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NP50P06SDG-E1-AY	文件：1.35796 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 16.5 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A ) RDS(on) = 23.0 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )  Low input capacitance : Ciss 文件：1.35796 Mbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06SDG-E1-AY	文件：971.6 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：971.6 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP50P06SDG-E1-AYNote	文件：309.68 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：309.68 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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