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NP50P04SLG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) ⎯ RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance

文件:241.04 Kbytes 页数:8 Pages

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详细参数

  • 型号:

    NP50P04SLG-E1-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP50P04SLG-E1-AY供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00