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NP50P06KDG-E1-AYNote	文件：294.89 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AY	文件：1.33025 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17mMax.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23mMax.(VGS=-4.5V,ID=-25A) Lowinputcapacitance:Ciss=50	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AY	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17mMax.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23mMax.(VGS=-4.5V,ID=-25A) Lowinputcapacitance:Ciss=50

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance

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