NP50P06KDG-E1-AYNOTE中文资料下载贸易商-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NP50P06KDG-E1-AYNote	文件：294.89 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：294.89 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AY	文件：1.33025 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 17 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A ) RDS(on) = 23 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )  Low input capacitance : Ciss = 50 文件：1.33025 Mbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AY	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

更多NP50P06KDG-E1-AYNOTE供应商更新时间2025-10-9 11:04:00