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NP55N04SLG-E2-AY	文件：255.65 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP55N04SLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Channel temperature 175 degree rating • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A) ⎯ RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, I 文件：255.65 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
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NPB02SVAN-RC	文件：0 bytes Page：0 Pages	BULK	SULLINS 上传：深圳市乐创天科技有限公司	SULLINS

更多NP55N04SLG-E2-AY供应商更新时间2025-11-22 15:30:00