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NP55N04SLG-E2-AY

文件：255.65 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ⎯RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I

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更多NP55N04SLG-E2-AY供应商更新时间2025-7-21 15:30:00

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