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NP55N04SLG-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP55N04SLG-E2-AY
厂商型号

NP55N04SLG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

255.65 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-26 9:11:00

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NP55N04SLG-E2-AY规格书详情

Description

The NP55N04SLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A)

⎯ RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 28 A)

⎯ RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 11 A)

• Low input capacitance

• Gate to Source ESD protection diode built-in

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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