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NP55N04SLG-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NP55N04SLG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

255.65 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 18:50:00

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NP55N04SLG-E2-AY规格书详情

描述 Description

The NP55N04SLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A)

⎯ RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 28 A)

⎯ RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 11 A)

• Low input capacitance

• Gate to Source ESD protection diode built-in

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