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NP60N03SUG	文件：313.23 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) • High current rating ID(DC) = ±60 A • Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP. • Designed for automotive application and AEC 文件：313.23 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP60N03SUG	文件：299.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP60N03SUG	文件：1.01894 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01894 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP60N03SUG-E1-AY	文件：313.23 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) • High current rating ID(DC) = ±60 A • Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP. • Designed for automotive application and AEC 文件：313.23 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP60N03SUG-E2-AY	文件：313.23 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A) • High current rating ID(DC) = ±60 A • Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP. • Designed for automotive application and AEC 文件：313.23 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP60N03SUG_15	文件：313.82 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：313.82 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP60N03SUG-E1-AY	文件：1.01804 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01804 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP60N03SUG-E1-AYNote	文件：313.82 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：313.82 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP60N03SUG-E2-AY	文件：917.88 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：917.88 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP60N03SUG-E2-AYNote	文件：313.82 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：313.82 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
MP-3ZK/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
60
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
3.8
Ciss (pF) 典型值：
5000
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
105
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
90

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP60N03SUG供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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