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NP60N04MUK-S18-AY	文件：111.76 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mMAX.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP60N04MUK-S18-AY

文件：111.76 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mMAX.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication

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