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NP60N06PDK-E2-AY	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP60N06PDK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance  RDS(on)1 = 7.9 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)  Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and 文件：528.54 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP60N06PDK-E2-AY	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channel Power MOS FET 文件：366.11 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多NP60N06PDK-E2-AY供应商更新时间2026-1-26 16:16:00