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NP60N04VLK-E1-AY

40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive

Description TheNP60N04VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP60N04VLK-E1-AY

N-channel Power MOS FET

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TO-252(MP-3ZP)
25000
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更多NP60N04VLK-E1-AY供应商 更新时间2024-5-16 9:08:00