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NP60N06PDK_V01	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP60N06PDK_V01

文件：528.54 Kbytes

Page：9 Pages

60 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive

Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand

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更多NP60N06PDK_V01供应商更新时间2024-5-16 11:00:00

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