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NP48N055ELE	文件：220.89 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 2 文件：220.89 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP48N055ELE	文件：307.45 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 24 A) RDS(on)3 = 24 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1970 文件：307.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055ELE	文件：345.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP48N055ELE-E1-AY	文件：307.45 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 24 A) RDS(on)3 = 24 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1970 文件：307.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055ELE-E1-AY	文件：220.89 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 2 文件：220.89 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP48N055ELE-E2-AY	文件：220.89 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 2 文件：220.89 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP48N055ELE-E2-AY	文件：307.45 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 24 A) RDS(on)3 = 24 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 24 A) • Low input capacitance Ciss = 1970 文件：307.45 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055ELE_15	文件：308.03 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：308.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055ELE-E1-AYNote1,2	文件：308.03 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：308.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP48N055ELE-E2-AYNote1,2	文件：308.03 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：308.03 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

ID (A)：
48
Downloadable：
SPICE
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
17
Nch/Pch：
N
Application：
Automotive Use
Automotive：
YES
Series Name：
NP Series
VDSS (V) max.：
55

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP48N055KHE	NEC	24+	TO-263	8866		询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP48N055KHE	VB	25+	D2PAK	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP48N055KHE	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-263	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市诚利顺电子科技有限公司	NP48N055KHE(1)-E1-AY	RENESAS/瑞萨	22+	LQFP	30000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
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更多NP48N055ELE供应商更新时间2026-3-9 15:30:00

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