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NP40N10VDF-E2-AY	文件：259.839 Kbytes Page：11 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10YDF) ⎯ RDS(on) = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) (NP40N10VDF) ⎯ RDS(on 文件：259.839 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N10VDF-E2-AY	文件：162.8 Kbytes Page：11 Pages	100 V ??40 A ??N-channel Power MOS FET Application: Automotive 文件：162.8 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP40N10VDF-E2-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
NP4805SR-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP4836SR-N-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟

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深圳市威尔健半导体有限公司	NP40N10VDF-E2-AY	RENESAS/瑞萨	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多NP40N10VDF-E2-AY供应商更新时间2026-1-27 9:04:00