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NP50P04SLG	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P04SLG	文件：1.07808 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP50P04SLG-E1-AY	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P04SLG-E2-AY	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P04SLG_15	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PJD50P04	文件：673.8 Kbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD50P04-AU	文件：1.78295 Mbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SQD50P04	文件：161.24 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P04	文件：162.02 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUD50P04	文件：3.19134 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Vos=-40VID=-50A ROS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
NP50P04SLG
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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