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NP50P06KDG	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP50P06KDG	文件：1.33025 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 17 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A ) RDS(on) = 23 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )  Low input capacitance : Ciss = 50 文件：1.33025 Mbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AY	文件：1.33025 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 17 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A ) RDS(on) = 23 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )  Low input capacitance : Ciss = 50 文件：1.33025 Mbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AY	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP50P06KDG-E2-AY	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP50P06KDG_15	文件：294.89 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：294.89 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E1-AYNote	文件：294.89 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：294.89 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E2-AYNote	文件：294.89 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：294.89 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs for Automotive The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)\n• Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP.;	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Channels (#)：
1
Pkg. Type：
MP-25ZK
Standard Pkg. Type：
TO-263 / D2PAK
VDSS (Max) (V)：
-60
ID (A)：
-50
RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)：
17
RDS (ON) (Max) @ 4V or 4.5V or 5V (m ohm)：
23
Pch (W)：
90
VGSS：
20
Vgs (off) (Max) (V)：
-2.5
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)：
13.5
Ciss (Typical) (pF)：
5000
QG (nC) typ (nC)：
95
Mounting Type：
Surface Mount
Series Name：
NP Series

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