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NP50P06KDG中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP50P06KDG
厂商型号

NP50P06KDG

功能描述

-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

文件大小

1.33025 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 23:00:00

NP50P06KDG规格书详情

Description

This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

 Super low on-state resistance : RDS(on) = 17 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A )

RDS(on) = 23 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )

 Low input capacitance : Ciss = 5000 pF Typ.

 Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.

 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

产品属性

  • 型号:

    NP50P06KDG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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