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NP50P06KDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP50P06KDG-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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更多NP50P06KDG-E2-AYNOTE供应商 更新时间2025-5-21 11:04:00