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NP50P06KDG-E2-AYNote	文件：294.89 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：294.89 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P06KDG-E2-AY	文件：184.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

更多NP50P06KDG-E2-AYNOTE供应商更新时间2025-11-24 11:04:00