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NP50P06KDG-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP50P06KDG-E2-AY
厂商型号

NP50P06KDG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

184.9 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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NP50P06KDG-E2-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

•Super low on-state resistance

RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A)

RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A)

•Low input capacitance

Ciss = 5000 pF TYP.

产品属性

  • 型号:

    NP50P06KDG-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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