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NP48N055DHE-S12-AY	文件：218.63 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP48N055DHE-S12-AY	文件：305.15 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

NP48N055DHE-S12-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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详细参数

型号：
NP48N055DHE-S12-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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