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NP36N055HHE	文件：381.2 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) •LowCiss	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36N055HLE	文件：382.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORNP36N055HLE,NP36N055ILE,NP36N055SLE SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=16	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36N055IHE	文件：381.2 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) •LowCiss	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36N055ILE	文件：382.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORNP36N055HLE,NP36N055ILE,NP36N055SLE SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=16	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36N055ILE	文件：989.49 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP36N055SHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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