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NP36N10SDE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多NP36N10SDE-E1-AY供应商 更新时间2025-7-23 11:00:00