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NP36N10SDE-E1-AY	文件：257.61 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP36N10SDE-E1-AY

文件：257.61 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2

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更多NP36N10SDE-E1-AY供应商更新时间2025-7-24 11:00:00

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