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NP36N10SDE-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NP36N10SDE-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

257.61 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-3 23:01:00

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NP36N10SDE-E1-AY规格书详情

描述 Description

The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

• Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 25 V)

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

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