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文件：276.03 Kbytes

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55 V – 35 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive

Description TheNP35N055YUKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.7mMAX.(VGS=10V,ID=18A) Nonlogicleveldrivetype DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qua

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