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NP100P04PDG-E2-AYNote	文件：300.3 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.3 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100P04PDG-E2-AY	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID 文件：190.95 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP100P06PDG	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC TO-252	NEC 瑞萨上传：深圳市胜彬电子有限公司	NEC
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 DFN2*2-6	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	NATLINEAR/南麟 SOT23-3	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟

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