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NP100P04PDG-E2-AYNote	文件：300.3 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.3 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100P04PDG-E2-AY	文件：190.95 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID 文件：190.95 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP100P06PDG	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	NEC 瑞萨上传：深圳市胜彬电子有限公司	NEC
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2*2-6	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP100P04PLG-E1-AY	Renesas	25+	MP-25ZPTO-263	35400	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
万三科技(深圳)有限公司	NP100P04PLG-E1-AY	Renesas(瑞萨)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价

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