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NP110N04PUG	文件：344.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP110N04PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
NP110N04PUG_15	文件：272 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUJ	文件：344.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP110N04PUJ	文件：318.28 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP110N04PUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=55A) •Lowinputcapacitance Ciss=9500pFTYP. •Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUK	文件：345.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP110N04PUK	文件：271.53 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP110N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.4mMAX.(VGS=10V,ID=55A) LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP110N04PUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
MP-25ZP/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
110
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
1.8
Ciss (pF) 典型值：
17100
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
288
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
260

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