SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

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RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP100P06PLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID

文件：189.76 Kbytes 页数：7 Pages

NEC

瑞萨

南麟
DFN2*2-6

南麟

上传：深圳市勇康微科技有限公司

NATLINEAR/南麟
SOT23-3

NATLINEAR/南麟

上传：深圳广友电子有限公司

南麟
SOT-23-3

南麟

上传：深圳市勇康微科技有限公司